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微電阻測試儀使用說明

作者:嘉阜電氣    來源:www.682767.cn    發布時間:2018-08-02 12:39:49    

科技發展日新月異,計算機不斷更新換代,其存儲容量也在不斷增長,作為其基礎元件的集成電路已由超大規模(VLSI)向特大規模(ULSI)發展。圖形日益微細化,集成電路尺寸不斷縮小,目前,IC(集成電路,integrate circuit)制造以203.2mm(8in)、0.13um為主,預計在2007年左右將以304.8mm(12in)、65nm為主,DRAM(動態隨機存取存儲器,dynamic random access memory)達到64GB,MPU(微處理器,micro processor unit)和ASIC(專用集成電路,application specific integrate circuit)集成度分別達到每平方厘米90M和40M個晶體管。

微電阻測試儀使用說明

微電阻測試儀在硅芯片上很小的區域已經能夠集成非常復雜的電路,這一方面要求芯片直徑不斷增大以提高生產率,目前已達到304.8mm(12in),并逐漸發展到406.4mm(16in);另一方面對晶體的完美性、力學及電特性也提出了更為嚴格的要求。特別是微區的電學特性及其均勻性已經成為決定將來器件性能優劣的關鍵因素。在各種器件設計、生產中,需要了解和掌握硅片及外延片的微電阻測試儀率分布狀況。因此,微電阻測試儀的測試成為芯片加工之中的重要工序,為了更好地保證芯片的生產質量,保證設計的完美性和成功率,應開展各種芯片的微區電阻率分布的測試研究,以更好地服務于大規模集成電路的生產,保證最終產品的性能。

微電阻測試儀用微區薄層電阻圖示可以作為監控硅片離子注入均勻性、重復性的一種綜合的方法。微區薄層電阻圖示方法,大大方便了對各種注入現象的觀察,包括平面溝道效應,圖1-1是一晶向為[100]、磷(50keV,3E14)、標準偏差2.05%、平均值261.7Ω/方塊、等值線距離1.0%的152.4mm(6in)硅片上625個測試點的薄層電阻圖形。圖中粗線表示平均薄層電阻的軌跡,細線表示大于(+)或小于(-)平均值1%的等值線。薄層電阻值小的區域是由于溝道離子在沿著平面向外方向上的深層穿透引起的。

圖1-1清楚地表明了微電阻測試儀硅片與離子束相互作用的問題。圖1-2是條紋實驗硅片,片號:51E14/1E44100keV,標準偏差10.45%,平均值529.00/方塊,等值線距離2.00%,硅片的四個區域測量625個點上所做的薄層電阻圖示。由于掩膜對準的原因使未刻條紋的中立區偏向左側。每一區域的明顯不均勻性與在靜電式掃描注入機中使用掃描觀察得到的結果相似,每一區域的不均勻度與條紋寬度成正比,在圖中能清楚地看到條紋的不均勻性。因此,利用該圖示能夠發現設備的注入不均勻性。

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